DMP1022UFDE-7

MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
DMP1022UFDE-7 P1
DMP1022UFDE-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMP1022UFDE-7

品番
DMP1022UFDE-7
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMP1022UFDE-7 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 DMP1022UFDE-7
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 12V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9.1A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 1.2V, 4.5V
Vgs(th)(Max)@ Id 800mV @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 42.6nC @ 5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2953pF @ 4V
Vgs(最大) ±8V
FET機能 -
消費電力(最大) 660mW (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ U-DFN2020-6 (Type E)
パッケージ/ケース 6-UDFN Exposed Pad

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