DMP1022UFDE-7

MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
DMP1022UFDE-7 P1
DMP1022UFDE-7 P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Diodes Incorporated ~ DMP1022UFDE-7

Artikelnummer
DMP1022UFDE-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- DMP1022UFDE-7 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer DMP1022UFDE-7
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42.6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2953pF @ 4V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 660mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad

Verwandte Produkte

Alle Produkte