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| Numero di parte | TPCP8J01(TE85L,F,M |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 32V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1760pF @ 10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.14W (Ta) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PS-8 |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TPCP8J01(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS | - | 227104 | Dettagli |