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| Numéro d'article | TPCP8J01(TE85L,F,M |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 32V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1760pF @ 10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.14W (Ta) |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PS-8 |
| Paquet / cas | 8-SMD, Flat Lead |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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TPCP8J01(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS | - | 227104 | Détails |