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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3K302T(TE85L,F)

Numero di parte	SSM3K302T(TE85L,F)
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3nC @ 4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	270pF @ 10V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	71 mOhm @ 2A, 4V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TSM
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
SSM3K301T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM	-	0	Dettagli
SSM3K302T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 3A TSM		0	Dettagli
SSM3K303T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM	-	0	Dettagli
SSM3K309T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM	-	0	Dettagli
SSM3K310T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS	-	3000	Dettagli
SSM3K315T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 6A TSM	-	0	Dettagli
SSM3K316T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 4A TSM		0	Dettagli
SSM3K318R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM	-	9000	Dettagli
SSM3K318T,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM	-	0	Dettagli
SSM3K324R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F		45000	Dettagli
SSM3K329R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A	-	78000	Dettagli
SSM3K333R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A	-	15000	Dettagli