SSM3K318T,LF

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
SSM3K318T,LF P1
SSM3K318T,LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3K318T,LF

Numero di parte
SSM3K318T,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- SSM3K318T,LF PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte SSM3K318T,LF
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TSM
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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