GT50J121(Q)

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
GT50J121(Q) P1
GT50J121(Q) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ GT50J121(Q)

Numero di parte
GT50J121(Q)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte GT50J121(Q)
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 50A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Potenza - Max 240W
Cambiare energia 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello -
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 90ns/300ns
Condizione di test 300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-3PL
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P(LH)

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