GT50J121(Q)

IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
GT50J121(Q) P1
GT50J121(Q) P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ GT50J121(Q)

Numéro d'article
GT50J121(Q)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article GT50J121(Q)
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Puissance - Max 240W
Échange d'énergie 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 90ns/300ns
Condition de test 300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-3PL
Package de périphérique fournisseur TO-3P(LH)

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