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| Numero di parte | TSM120N06LCS RLG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2193pF @ 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 12.5W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TSM120N06LCP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252 | - | 252899 | Dettagli |
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TSM120N06LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN | - | 266554 | Dettagli |
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TSM120N06LCS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP | - | 275105 | Dettagli |
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TSM120N10PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN | - | 7331 | Dettagli |
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TSM120NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN | - | 320082 | Dettagli |