TSM120N06LCS RLG

MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
TSM120N06LCS RLG P1
TSM120N06LCS RLG P1
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Taiwan Semiconductor Corporation ~ TSM120N06LCS RLG

Número de pieza
TSM120N06LCS RLG
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- TSM120N06LCS RLG PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza TSM120N06LCS RLG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2193pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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