TT8K11TCR

MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
TT8K11TCR P1
TT8K11TCR P1
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Rohm Semiconductor ~ TT8K11TCR

Numero di parte
TT8K11TCR
fabbricante
Rohm Semiconductor
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte TT8K11TCR
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 71 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V
Potenza - Max 1W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSST

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