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Numero di parte | TT8J11TCR |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 6V |
Potenza - Max | 650mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSST |