ECH8690-TL-H

MOSFET N/P-CH 60V ECH8
ECH8690-TL-H P1
ECH8690-TL-H P1
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ON Semiconductor ~ ECH8690-TL-H

Numero di parte
ECH8690-TL-H
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- ECH8690-TL-H PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte ECH8690-TL-H
Stato parte Active
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.7A, 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 955pF @ 20V
Potenza - Max 1.5W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore 8-ECH

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