ECH8690-TL-H

MOSFET N/P-CH 60V ECH8
ECH8690-TL-H P1
ECH8690-TL-H P1
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ON Semiconductor ~ ECH8690-TL-H

Artikelnummer
ECH8690-TL-H
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer ECH8690-TL-H
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate, 4V Drive
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.7A, 3.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 955pF @ 20V
Leistung max 1.5W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 8-ECH

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