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| Numero di parte | 2N5401-AP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Potenza - Max | 1.5W |
| Frequenza - Transizione | 100MHz |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Dettagli |
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2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Dettagli |
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2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Dettagli |
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2N5010 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6990 | Dettagli |
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2N5011 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 5951 | Dettagli |
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2N5012 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Dettagli |
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2N5012S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 21999 | Dettagli |
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2N5013 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Dettagli |
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2N5013S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 6364 | Dettagli |