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| Número de pieza | 2N5401-AP |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 150V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 50nA (ICBO) |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Potencia - Max | 1.5W |
| Frecuencia - Transición | 100MHz |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-92 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Detalles |
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2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Detalles |
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2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Detalles |
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2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Detalles |
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2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Detalles |
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2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Detalles |
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2N5010 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6990 | Detalles |
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2N5011 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 5951 | Detalles |
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2N5012 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Detalles |
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2N5012S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 21999 | Detalles |
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2N5013 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Detalles |
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2N5013S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 6364 | Detalles |