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| Numero di parte | IPP60R299CPXKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 96W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | 769 | Dettagli | |
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IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Dettagli |
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IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | - | 9021 | Dettagli |
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IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | - | 744 | Dettagli |
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IPP60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Dettagli |
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IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 8454 | Dettagli |
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IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | - | 879 | Dettagli |
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IPP60R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | - | 9096 | Dettagli |
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IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 | 279 | Dettagli | |
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IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO-220 | - | 0 | Dettagli |
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IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 | - | 671 | Dettagli |