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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPP60R299CPXKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 96W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | 769 | Einzelheiten | |
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IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPP60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Einzelheiten |
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IPP60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | - | 9021 | Einzelheiten |
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IPP60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | - | 0 | Einzelheiten |
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IPP60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 8454 | Einzelheiten |
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IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | - | 879 | Einzelheiten |
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IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |
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IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 | - | 671 | Einzelheiten |