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| Numero di parte | GC50MPS12-247 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 212A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 50A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 3263pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GC50MPS06-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 650V 50A TO-247-2 | - | 3503 | Dettagli |
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GC50MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 50A TO-247-2 | - | 1572 | Dettagli |