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| Número de pieza | GC50MPS12-247 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 212A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 50A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F | 3263pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247-2 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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GC50MPS06-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 650V 50A TO-247-2 | - | 3503 | Detalles |
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GC50MPS12-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 50A TO-247-2 | - | 1572 | Detalles |