EPC2023

GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
EPC2023 P1
EPC2023 P1
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EPC ~ EPC2023

Numero di parte
EPC2023
fabbricante
EPC
Descrizione
GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- EPC2023 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte EPC2023
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die

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