EPC2023

GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
EPC2023 P1
EPC2023 P1
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EPC ~ EPC2023

Numéro d'article
EPC2023
Fabricant
EPC
La description
GANFET TRANS 30V 60A BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- EPC2023 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article EPC2023
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 40A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 20mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur Die
Paquet / cas Die

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