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Cree/Wolfspeed ~ C3M0065090J

Numero di parte	C3M0065090J
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 600V
Vgs (massimo)	+19V, -8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	78 mOhm @ 20A, 15V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK-7
Pacchetto / caso	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
C3M0030090K	Cree/Wolfspeed	ZFET 900V 30 MOHM G3 SIC MOSFE	-	2138	Dettagli
C3M0065090D	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3	-	3689	Dettagli
C3M0065090J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	-	6540	Dettagli
C3M0065090J-TR	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7	-	0	Dettagli
C3M0065100J	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7	-	120	Dettagli
C3M0065100J-TR	Cree/Wolfspeed	1000V 65 MOHM G3 SIC MOSFET	-	5158	Dettagli
C3M0065100K	Cree/Wolfspeed	1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET	-	905	Dettagli
C3M0075120D	Cree/Wolfspeed	MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC	-	2738	Dettagli
C3M0075120J	Cree/Wolfspeed	1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET		0	Dettagli
C3M0075120J-TR	Cree/Wolfspeed	1200V 75 MOHM G3 SIC MOSFET ON	-	4951	Dettagli
C3M0075120K	Cree/Wolfspeed	MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4	-	932	Dettagli
C3M0120090D	Cree/Wolfspeed	900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET	-	1726	Dettagli