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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | C3M0065090J |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 113W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK-7 |
| Paket / Fall | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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