1SS367,H3F

DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76
1SS367,H3F P1
1SS367,H3F P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ 1SS367,H3F

Numéro d'article
1SS367,H3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC76
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 1SS367,H3F PDF online browsing
Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article 1SS367,H3F
État de la pièce Active
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 10V
Courant - Rectifié moyen (Io) 100mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 500mV @ 100mA
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 20µA @ 10V
Capacitance @ Vr, F 40pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-76, SOD-323
Package de périphérique fournisseur -
Température de fonctionnement - Jonction 125°C (Max)

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