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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 1SS367,H3F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 10V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 100mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 100mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 20µA @ 10V |
| Kapazität @ Vr, F | 40pF @ 0V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-76, SOD-323 |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | 125°C (Max) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1SS300,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM | - | 0 | Einzelheiten |
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1SS301,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM | - | 0 | Einzelheiten |
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1SS301SU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70 | - | 0 | Einzelheiten |
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1SS302A,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SW 80V 100MA USM SC70 | 0 | Einzelheiten | |
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1SS302TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70 | - | 6000 | Einzelheiten |
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1SS306TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B | - | 0 | Einzelheiten |
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1SS307(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI | - | 0 | Einzelheiten |
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1SS307E,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SW GP 80V 100MA ESC | 9628 | Einzelheiten | |
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1SS308(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A | - | 0 | Einzelheiten |
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1SS309(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV | - | 6000 | Einzelheiten |
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1SS315TPH3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC | 9060 | Einzelheiten | |
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1SS319(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE SCHOTKY GP 40V 100MA SC61B | - | 9000 | Einzelheiten |