STH140N6F7-2

MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
STH140N6F7-2 P1
STH140N6F7-2 P1
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STMicroelectronics ~ STH140N6F7-2

Numéro d'article
STH140N6F7-2
Fabricant
STMicroelectronics
La description
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- STH140N6F7-2 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article STH140N6F7-2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 40A, 10V
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur H2Pak-2
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

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