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| Numéro d'article | STH12N120K5-2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 44.2nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 690 mOhm @ 6A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | H2Pak-2 |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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STH12N120K5-2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 | - | 0 | Détails |