A2T20H330W24NR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T20H330W24NR6 P1
A2T20H330W24NR6 P1
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NXP USA Inc. ~ A2T20H330W24NR6

Numéro d'article
A2T20H330W24NR6
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- A2T20H330W24NR6 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2T20H330W24NR6
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.88GHz ~ 2.025GHz
Gain 15.9dB
Tension - Test 28V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 700mA
Puissance - Sortie 229W
Tension - Rated 65V
Paquet / cas OM-1230-4L2L
Package de périphérique fournisseur OM-1230-4L2L

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