A2T20H330W24NR6

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T20H330W24NR6 P1
A2T20H330W24NR6 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2T20H330W24NR6

Artikelnummer
A2T20H330W24NR6
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- A2T20H330W24NR6 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2T20H330W24NR6
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 1.88GHz ~ 2.025GHz
Gewinnen 15.9dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 700mA
Leistung 229W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall OM-1230-4L2L
Lieferantengerätepaket OM-1230-4L2L

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