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| Numéro d'article | BSH201,215 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 300mA (Ta) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA (Min) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 48V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 417mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 160mA, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-236AB (SOT23) |
| Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BSH201,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23 | 15000 | Détails | |
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BSH202,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 | 15000 | Détails | |
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BSH203,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23 | 0 | Détails | |
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BSH205,215 | NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 | - | 0 | Détails |
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BSH205G2R | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 | 30000 | Détails | |
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BSH205G2VL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB | - | 880483 | Détails |
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BSH207,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP | - | 0 | Détails |