BSH205G2R

MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
BSH205G2R P1
BSH205G2R P1
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Nexperia USA Inc. ~ BSH205G2R

Numéro d'article
BSH205G2R
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article BSH205G2R
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 418pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 480mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 2A, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-236AB (SOT23)
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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