BCM857QASZ

BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6
BCM857QASZ P1
BCM857QASZ P1
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Nexperia USA Inc. ~ BCM857QASZ

Numéro d'article
BCM857QASZ
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
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Numéro d'article BCM857QASZ
État de la pièce Active
Type de transistor 2 PNP (Dual) Matched Pair
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 15nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Puissance - Max 350mW
Fréquence - Transition 175MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-XFDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur DFN1010B-6

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