BCM857QASZ

BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6
BCM857QASZ P1
BCM857QASZ P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Nexperia USA Inc. ~ BCM857QASZ

Artikelnummer
BCM857QASZ
Hersteller
Nexperia USA Inc.
Beschreibung
BCM857QAS/SOT1216/DFN1010B-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- BCM857QASZ PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer BCM857QASZ
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual) Matched Pair
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 45V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Leistung max 350mW
Frequenz - Übergang 175MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket DFN1010B-6

Verwandte Produkte

Alle Produkte