MA4AGBLP912

ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
MA4AGBLP912 P1
MA4AGBLP912 P1
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M/A-Com Technology Solutions ~ MA4AGBLP912

Numéro d'article
MA4AGBLP912
Fabricant
M/A-Com Technology Solutions
La description
ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - RF
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Numéro d'article MA4AGBLP912
État de la pièce Active
Type de diode PIN - Single
Tension - Peak Reverse (Max) 50V
Courant - Max 40mA
Capacitance @ Vr, F 0.03pF @ 5V, 1MHz
Résistance @ Si, F 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -65°C ~ 125°C (TJ)
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -

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