MA4AGBLP912

ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
MA4AGBLP912 P1
MA4AGBLP912 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

M/A-Com Technology Solutions ~ MA4AGBLP912

Artikelnummer
MA4AGBLP912
Hersteller
M/A-Com Technology Solutions
Beschreibung
ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MA4AGBLP912.pdf MA4AGBLP912 PDF online browsing
Familie
Dioden - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer MA4AGBLP912
Teilstatus Active
Dioden-Typ PIN - Single
Spannung - Spitzenrücklauf (Max) 50V
Strom - max 40mA
Kapazität @ Vr, F 0.03pF @ 5V, 1MHz
Widerstand @ If, F 4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz
Verlustleistung (Max) -
Betriebstemperatur -65°C ~ 125°C (TJ)
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -

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