GA35XCP12-247

IGBT 1200V SOT247
GA35XCP12-247 P1
GA35XCP12-247 P1
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GeneSiC Semiconductor ~ GA35XCP12-247

Numéro d'article
GA35XCP12-247
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
IGBT 1200V SOT247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article GA35XCP12-247
État de la pièce Active
Type d'IGBT PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) -
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 35A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 35A
Puissance - Max -
Échange d'énergie 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 50nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -
Condition de test 800V, 35A, 22 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 36ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247AB

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