GA35XCP12-247

IGBT 1200V SOT247
GA35XCP12-247 P1
GA35XCP12-247 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

GeneSiC Semiconductor ~ GA35XCP12-247

Artikelnummer
GA35XCP12-247
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V SOT247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer GA35XCP12-247
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 35A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 35A
Leistung max -
Energie wechseln 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 50nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung 800V, 35A, 22 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 36ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247AB

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