FDMD85100

MOSFET 2N-CH 100V
FDMD85100 P1
FDMD85100 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMD85100

Numéro d'article
FDMD85100
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 100V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDMD85100
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 50V
Puissance - Max 2.2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-Power 5x6

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