FDMD85100

MOSFET 2N-CH 100V
FDMD85100 P1
FDMD85100 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDMD85100

Artikelnummer
FDMD85100
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer FDMD85100
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9.9 mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 50V
Leistung max 2.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-Power 5x6

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