DMN1023UCB4-7

MOSFET BVDSS 8V-24V U-WLB1010-4
DMN1023UCB4-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN1023UCB4-7

Numéro d'article
DMN1023UCB4-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET BVDSS 8V-24V U-WLB1010-4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN1023UCB4-7 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMN1023UCB4-7
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
FET Caractéristique -
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 4-UFBGA, WLBGA
Package de périphérique fournisseur U-WLB1010-4

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