DMN1002UCA6-7

MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
DMN1002UCA6-7 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN1002UCA6-7

Numéro d'article
DMN1002UCA6-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN1002UCA6-7 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMN1002UCA6-7
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 68.6nC @ 4V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.1W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur X4-DSN3118-6

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