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| Número de pieza | TK9P65W,RQ |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.3A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 80W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TK9P65W,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK | - | 2000 | Detalles |