Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TK9P65W,RQ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 350µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 80W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 560 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TK9P65W,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK | - | 2000 | Einzelheiten |