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| Número de pieza | SSM6P16FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 3V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 |
| Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM6P15FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 | - | 0 | Detalles |
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SSM6P16FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6 | - | 3947 | Detalles |