Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SSM6P16FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 3V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | ES6 |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6P15FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SSM6P16FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6 | - | 3947 | Einzelheiten |