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| Número de pieza | SSM5N15FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ESV |
| Paquete / caja | SOT-553 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM5N15FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 100MA ESV | - | 4000 | Detalles |
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SSM5N15FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A USV | - | 3000 | Detalles |
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SSM5N16FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A USV | - | 0 | Detalles |