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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SSM5N15FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7.8pF @ 3V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 10mA, 4V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | ESV |
| Paket / Fall | SOT-553 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SSM5N15FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 100MA ESV | - | 4000 | Einzelheiten |
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SSM5N15FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 0.1A USV | - | 3000 | Einzelheiten |
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SSM5N16FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 20V 0.1A USV | - | 0 | Einzelheiten |