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| Número de pieza | TSM210N02CX RFG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.56W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23 |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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TSM210N02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23 | - | 627598 | Detalles |
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TSM210N06CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220 | - | 7310 | Detalles |