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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TSM210N02CX RFG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.56W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TSM210N02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23 | - | 627598 | Einzelheiten |
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TSM210N06CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220 | - | 7310 | Einzelheiten |